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INS2003FQ 是一款 100V 半橋驅(qū)動(dòng)器，專為高效驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）而設(shè)計(jì)，旨在克服傳統(tǒng) MOSFET 驅(qū)動(dòng)方案面臨的挑戰(zhàn)。 該驅(qū)動(dòng)器具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)邏輯輸入，并且集成了高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器聯(lián)鎖功能，以防止同時(shí)導(dǎo)通。 為了實(shí)現(xiàn)可調(diào)節(jié)的開(kāi)關(guān)速度，INS2003FQ 提供了分體式輸出，并具備強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力，上拉電阻為 1Ω，下拉電阻為 0.2Ω。

INS2003FQ 包含內(nèi)部智能啟動(dòng)開(kāi)關(guān)（BST），可在死區(qū)時(shí)間有效防止高側(cè)浮動(dòng)電源 BST 電容過(guò)充，從而保護(hù) GaN FET 的柵極并保持兩側(cè) GaN FET 柵極電壓的一致性。 該驅(qū)動(dòng)器還具備自適應(yīng)直通保護(hù)功能，即使在接近零死區(qū)時(shí)間的情況下也能確保不會(huì)出現(xiàn)同時(shí)導(dǎo)通。 INS2003FQ 的典型傳播延遲為 20ns，并具有出色的延遲匹配（典型值 1ns），這使其適用于高頻應(yīng)用。 它支持高達(dá) 100V 的高側(cè)浮動(dòng)電源操作，并內(nèi)置了欠壓鎖定（UVLO）、過(guò)壓鎖定（OVLO）和過(guò)溫保護(hù)（OTP）等多種保護(hù)功能。 此外，該驅(qū)動(dòng)器具有低至 35μA 的 VCC 靜態(tài)電流，采用緊湊的 FCQFN 3mmx3mm 封裝。

INS2003FQ 適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括半橋和全橋轉(zhuǎn)換器、高壓同步 DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及需要高頻率和高功率密度的應(yīng)用。 它也適用于 48V 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、大功率 D 類音頻功率放大器以及汽車領(lǐng)域的 48V/12V 雙向 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。 英諾賽科提供的 INS2003FQ 等 GaN 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，針對(duì)不同電壓等級(jí)的氮化鎵功率器件進(jìn)行了優(yōu)化，為數(shù)據(jù)中心、汽車電子、太陽(yáng)能微逆等領(lǐng)域提供了高性能解決方案。